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MMBT2222ATT1中文资料

MMBT2222ATT1图片

MMBT2222ATT1外观图

  • 大小:60KB
  • 厂家:ON SEMICONDUCTOR
  • 描述:General Purpose Transistor
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
  • 最大直流电集电极电流:0.6 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:35 at 0.1 mA at 10 V
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:300 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SC-75-3
  • 封装:Reel
  • 集电极连续电流:0.6 A
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:150 mW
  • 工厂包装数量:3000

MMBT2222ATT1供应商

更新时间:2023-01-07 06:05:30
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